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用途 | 笔记本 |
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代号 | Banias |
状态 | 已发布 |
核数 | 1 |
主频 | 800 MHz |
L2缓存 | 512 KB |
前端总线速度 | 400 MHz |
前端总线奇偶 | 否 |
指令集 | 32-bit |
提供嵌入式方案 | 否 |
工艺 | 130 nm |
最大散热设计功耗(TDP) | 7 W |
VID电压范围 | 1.004V |
建议的客户价格 | N/A |
物理地址扩展 | 32-bit |
ECC 内存支持 | 否 |
TCASE温度 | 100°C |
封装大小 | 35mm x 35mm |
处理芯片大小 | 83 mm2 |
处理芯片晶体管数 | 77 million |
低卤素选项可用 | 参见 MDDS |
英特尔 睿频加速技术 | 否 |
英特尔 超线程技术 | 否 |
英特尔 虚拟化技术 | 否 |
英特尔 64 | 否 |
空闲状态 | 否 |
增强型 Intel SpeedStep 动态节能技术 | 否 |
英特尔 按需配电技术 | 否 |
可信执行技术 | 否 |
执行禁用位 | 否 |